Компания samsung объявила о выпуске первой в мире Flash памяти с 32 слоями для хранения данных.
Новая разработка южнокорейской компании создана по технологии 3D V-NAND с объемной структурой.
Метод построения чипа строится из вертикально расположенных кристалов памяти, что и позволяет получить трехмерную структуру микрочипа. Данная технология позволяет не только повысить количество хранимой памяти но и повысить надежность хранения данных до 10 раз по сравнению с двухмерной структурой.
Данная технология будет использоваться в твердотельных накопителях емкостью до 1 Тб.
