Инженеры Samsung разработали 32 слойный чип памяти

Компания samsung объявила о выпуске первой в мире Flash памяти с 32 слоями для хранения данных.

Новая разработка южнокорейской компании создана по технологии 3D V-NAND с объемной структурой.

 

Метод построения чипа строится из вертикально расположенных кристалов памяти, что и позволяет получить трехмерную структуру микрочипа. Данная технология позволяет не только повысить количество хранимой памяти но и повысить надежность хранения данных до 10 раз по сравнению с двухмерной структурой.

Данная технология будет использоваться в твердотельных накопителях емкостью до 1 Тб.

samsung flash

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *